SLF20N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SLF20N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.264 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SLF20N50C Datasheet (PDF)
slp20n50c slf20n50c.pdf

SLP20N50C / SLF20N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 20A, 500V, RDS(on)typ. = 220m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 74.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AONS21307 | IRF820B | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FMH16N60ES | SPD04N80C3 | OSG65R650D
History: AONS21307 | IRF820B | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FMH16N60ES | SPD04N80C3 | OSG65R650D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet