Справочник MOSFET. SLP2N65UZ

 

SLP2N65UZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP2N65UZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP2N65UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1225K  maple semi
 slp2n65uz slf2n65uz.pdf pdf_icon

SLP2N65UZ

SLP2N65UZ / SLF2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 2.0A, 650V, RDS(on) typ. = 4.3@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 6.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PHB129NQ04LT | GSM3458BW | IPD50R280CE | SDD01N70 | LSG65R380GF | NDT6N70 | AP9918GJ

 

 
Back to Top

 


 
.