SLP2N65UZ - аналоги и даташиты транзистора

 

SLP2N65UZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLP2N65UZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP2N65UZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP2N65UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1225K  maple semi
 slp2n65uz slf2n65uz.pdf pdf_icon

SLP2N65UZ

SLP2N65UZ / SLF2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 2.0A, 650V, RDS(on) typ. = 4.3@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 6.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi

Другие MOSFET... SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , IRF640N , SLF2N65UZ , SLP32N20C , SLF32N20C , SLP40N26C , SLF40N26C , SLP5N50S , SLF5N50S , SLP5N60C .

History: IRF7807D1PBF | IRF7807PBF-1 | SLP32N20C

 

 
Back to Top

 


 
.