SLF2N65UZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLF2N65UZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLF2N65UZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF2N65UZ даташит

 ..1. Size:1225K  maple semi
 slp2n65uz slf2n65uz.pdf pdf_icon

SLF2N65UZ

SLP2N65UZ / SLF2N65UZ 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 2.0A, 650V, RDS(on) typ. = 4.3 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 6.5nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi

Другие IGBT... SLF16N50C, SLP16N50S, SLF16N50S, SLP18N50C, SLF18N50C, SLP20N50C, SLF20N50C, SLP2N65UZ, IRFP260N, SLP32N20C, SLF32N20C, SLP40N26C, SLF40N26C, SLP5N50S, SLF5N50S, SLP5N60C, SLF5N60C