Справочник MOSFET. SLF2N65UZ

 

SLF2N65UZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLF2N65UZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SLF2N65UZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF2N65UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1225K  maple semi
 slp2n65uz slf2n65uz.pdf pdf_icon

SLF2N65UZ

SLP2N65UZ / SLF2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 2.0A, 650V, RDS(on) typ. = 4.3@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 6.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchi

Другие MOSFET... SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ , 10N60 , SLP32N20C , SLF32N20C , SLP40N26C , SLF40N26C , SLP5N50S , SLF5N50S , SLP5N60C , SLF5N60C .

History: MS65R120C | SFT1345 | CED12N10 | BUZ54A | BLA1011-200 | BSC014N04LS | RFP5P15

 

 
Back to Top

 


 
.