SLP32N20C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP32N20C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 256 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP32N20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP32N20C даташит

 ..1. Size:462K  maple semi
 slp32n20c slf32n20c.pdf pdf_icon

SLP32N20C

SLP32N20C / SLF32N20C SLP32N20C / SLF32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using True semi s - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior s

Другие IGBT... SLP16N50S, SLF16N50S, SLP18N50C, SLF18N50C, SLP20N50C, SLF20N50C, SLP2N65UZ, SLF2N65UZ, AO3400, SLF32N20C, SLP40N26C, SLF40N26C, SLP5N50S, SLF5N50S, SLP5N60C, SLF5N60C, SLP5N65C