SLP32N20C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLP32N20C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 256 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
SLP32N20C Datasheet (PDF)
..1. Size:462K maple semi
slp32n20c slf32n20c.pdf
slp32n20c slf32n20c.pdf
SLP32N20C / SLF32N20CSLP32N20C / SLF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior s
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
