SLP40N26C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLP40N26C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 256 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 260 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220
SLP40N26C Datasheet (PDF)
slp40n26c slf40n26c.pdf
SLP40N26C / SLF40N26CSLP40N26C / SLF40N26C260V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 40A, 260V, RDS(on) typ. = 0.12@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 55 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior s
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .