SLP40N26C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLP40N26C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 256 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 260 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SLP40N26C
SLP40N26C Datasheet (PDF)
slp40n26c slf40n26c.pdf

SLP40N26C / SLF40N26CSLP40N26C / SLF40N26C260V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 40A, 260V, RDS(on) typ. = 0.12@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 55 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior s
Другие MOSFET... SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ , SLF2N65UZ , SLP32N20C , SLF32N20C , P55NF06 , SLF40N26C , SLP5N50S , SLF5N50S , SLP5N60C , SLF5N60C , SLP5N65C , SLF5N65C , SLP5N65S .
History: AP36016M | CEF06N7 | IRLR3103PBF | PSMN075-100MSE | BLM8205E-J | AP2910EC4 | SI1022R
History: AP36016M | CEF06N7 | IRLR3103PBF | PSMN075-100MSE | BLM8205E-J | AP2910EC4 | SI1022R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560