Справочник MOSFET. SLP70R420S2

 

SLP70R420S2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SLP70R420S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SLP70R420S2

 

 

SLP70R420S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  maple semi
 slp70r420s2 slf70r420s2.pdf

SLP70R420S2 SLP70R420S2

SLP70R420S2/SLF70R420S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc

 8.1. Size:495K  maple semi
 slp70r600s2 slf70r600s2.pdf

SLP70R420S2 SLP70R420S2

SLP70R600S2/SLF70R600S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 700V, RDS(on)typ= 0.52@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top