SLH24N50C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLH24N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SLH24N50C
SLH24N50C Datasheet (PDF)
slw24n50c slh24n50c.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLW24N50C/SLH24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 24A, 500V, RDS(on) = 0.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching -
Другие MOSFET... SLB80R240SJ , SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , SLW20N50C , SLW24N50C , IRFP250 , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G .
History: 2SK1013 | RU30L40M3 | 2SJ374 | STQ2HNK60Z-AP | 2SK1930 | 2SK3060-Z | 2SJ550L
History: 2SK1013 | RU30L40M3 | 2SJ374 | STQ2HNK60Z-AP | 2SK1930 | 2SK3060-Z | 2SJ550L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent


