S-LN2306LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: S-LN2306LT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80.85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для S-LN2306LT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
S-LN2306LT1G даташит
ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf
LN2306LT1G S-LN2306LT1G 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 1. FEATURES VDS= 30V RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43m RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62m SOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring
ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON) 85m @VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON) 115m @VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON) 135m @VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re
ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3 Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1 we declare that the material of product 2 compliance with RoHS requirements. SOT 23 (TO 236AB)
Другие IGBT... LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G, S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, LN2306LT1G, IRF520, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222



