LNA2306LT1G - аналоги и даташиты транзистора

 

LNA2306LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LNA2306LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT23E
 

 Аналог (замена) для LNA2306LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNA2306LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  lrc
 lna2306lt1g s-lna2306lt1g.pdf pdf_icon

LNA2306LT1G

LNA2306LT1GS-LNA2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23EWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiringuniq

Другие MOSFET... S-LN2306LT1G , LN2312LT1G , S-LN2312LT1G , LN2324DT2AG , LN235N3T5G , LN4501LT1G , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , P60NF06 , S-LNA2306LT1G , S-LNTA4001NT1G , LNTK2575LT1G , S-LNTK2575LT1G , LNTK3043PT5G , S-LNTK3043PT5G , LP0404N3T5G , LP1480WT1G .

History: AOD413 | ZXMP6A17E6 | AOB600A70L | 2SJ138 | STD3PK50Z | AUIRF1018E | WSP4099

 

 
Back to Top

 


 
.