Справочник MOSFET. STK2N80

 

STK2N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK2N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SOT82
 

 Аналог (замена) для STK2N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK2N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  st
 stk2n80.pdf pdf_icon

STK2N80

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V

 9.1. Size:184K  st
 stk2n60.pdf pdf_icon

STK2N80

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V

 9.2. Size:178K  st
 stk2n60-.pdf pdf_icon

STK2N80

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V

 9.3. Size:347K  st
 stk2na60.pdf pdf_icon

STK2N80

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , IRFB4227 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 .

 

 
Back to Top

 


 
.