S-LP3415ELT1G - аналоги и даташиты транзистора

 

S-LP3415ELT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: S-LP3415ELT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1604 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128.57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для S-LP3415ELT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LP3415ELT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  lrc
 lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf pdf_icon

S-LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (

 8.1. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

S-LP3415ELT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

Другие MOSFET... S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , AO4468 , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D .

History: SI2312B | SFS08R20PF | AP20P30Q | BRFL70R360C | SI2300BDS-T1-GE3 | JMSH1004AE | IRF8736TR

 

 
Back to Top

 


 
.