S-LP3415ELT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: S-LP3415ELT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1604 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 128.57 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для S-LP3415ELT1G
S-LP3415ELT1G Datasheet (PDF)
lp3415elt1g s-lp3415elt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3415ELT1GV = -20V DSS-LP3415ELT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4A = 753mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2A = 85Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (
lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)
Другие MOSFET... S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , IRFP064N , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D .
History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA
History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437