Справочник MOSFET. S-LP4101LT1G

 

S-LP4101LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S-LP4101LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145.54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для S-LP4101LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S-LP4101LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1030K  lrc
 lp4101lt1g s-lp4101lt1g.pdf pdf_icon

S-LP4101LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET V = -20V DSLP4101LT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 mDS(ON), S-LP4101LT1GmRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM 2we declar

Другие MOSFET... S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G , S-LP3407LT1G , LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , BS170 , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , 2N65E , 2N65D , 2N65N .

History: SIR642DP | BSS316N | 2SK1847 | CMD50N06B | SM7303ESKP | FQD8N25TF | 2SK1305

 

 
Back to Top

 


 
.