Справочник MOSFET. LNB20N60

 

LNB20N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNB20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для LNB20N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNB20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf pdf_icon

LNB20N60

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.45DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 63.7 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

 7.1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf pdf_icon

LNB20N60

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t

Другие MOSFET... 2N65M , 5N65D , 5N65E , 5N65M , 5N65N , 6N65F , 6N65D , LNB10R040W3 , IRF3710 , LNB20N65 , LNB4N80 , LNC045R090 , LNC04R035B , LNC04R050 , LNC06R062 , LNC06R079 , LNC06R110 .

History: AOT15S60L | SI1499DH | CEF1195 | IPB12CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.