LNC06R200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNC06R200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для LNC06R200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC06R200 даташит

 ..1. Size:784K  lonten
 lnh06r200 lng06r200 lnc06r200.pdf pdf_icon

LNC06R200

LNH06R200/LNG06R200/LNC06R200 Lonten N-channel 60V, 35A, 20m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 20m GS technology. This advanced technology has been I 35A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

 7.1. Size:795K  lonten
 lnh06r230 lng06r230 lnc06r230.pdf pdf_icon

LNC06R200

LNH06R230/LNG06R230/LNC06R230 Lonten N-channel 60V, 33A, 23m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 23m GS technology. This advanced technology has been I 33A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

 8.1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf pdf_icon

LNC06R200

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

 8.2. Size:1062K  lonten
 lnc06r140 lne06r140 lng06r140 lnh06r140.pdf pdf_icon

LNC06R200

LNC06R140/LNE06R140/LNG06R140/LNH06R140 Lonten N-channel 60V, 45A, 14m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 14m GS technology. This advanced technology has been I 45A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LNB4N80, LNC045R090, LNC04R035B, LNC04R050, LNC06R062, LNC06R079, LNC06R110, LNC06R140, IRFP250N, LNC06R230, LNC07R085H, LNC08R055W3, LNC08R085, LNC08R160, LNC08R220, LNC10N60, LNC10N65