Справочник MOSFET. LND16N60

 

LND16N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND16N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LND16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

 7.1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: QM2414V | MPSC65M260 | PSMN1R9-40PL | BLM3407 | WMQ080N03LG2 | NVTR01P02L | 9926B

 

 
Back to Top

 


 
.