LND16N60 - описание и поиск аналогов

 

LND16N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND16N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LND16N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND16N60 даташит

 ..1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N60/LNC16N60 Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

 7.1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N65/LNC16N65 Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.9C g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

Другие IGBT... LND08R085, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50, AO3407, LND16N65, LND18N50, LND20N60, LND20N65, LND2N60, LND2N65, LND4N60, LND4N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.