Справочник MOSFET. LND16N60

 

LND16N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND16N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND16N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

 7.1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LND16N60

LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

Другие MOSFET... LND08R085 , LND10N60 , LND10N65 , LND10R040W3 , LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , LND13N50 , 7N60 , LND16N65 , LND18N50 , LND20N60 , LND20N65 , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 , LND4N65 .

History: JBE102G | GSM2304 | MSK4N80T | SKI03063 | LND10R180 | NVGS4141N

 

 
Back to Top

 


 
.