LNDN12N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNDN12N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNDN12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNDN12N65 даташит

 ..1. Size:1285K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf pdf_icon

LNDN12N65

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 12A D resulting device has low conduction resistance, R 0.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 41.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

 9.1. Size:1293K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65 lndn10n65.pdf pdf_icon

LNDN12N65

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 10A D resulting device has low conduction resistance, R 1.0 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 34.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

Другие IGBT... LND4N65, LND4N80, LND5N50, LND5N65B, LND7N60, LND7N60D, LND7N65D, LNDN10N65, IRFZ48N, LNE06R062, LNE06R079, LNE06R110, LNE06R140, LNE07R085H, LNE08R055W3, LNE08R085, LNE08R160