LNE06R110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNE06R110  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 167.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 209 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNE06R110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNE06R110 даташит

 ..1. Size:928K  lonten
 lnc06r110 lne06r110.pdf pdf_icon

LNE06R110

LNC06R110/LNE06R110 Lonten N-channel 60V, 60A, 11m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 11m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hig

 7.1. Size:1062K  lonten
 lnc06r140 lne06r140 lng06r140 lnh06r140.pdf pdf_icon

LNE06R110

LNC06R140/LNE06R140/LNG06R140/LNH06R140 Lonten N-channel 60V, 45A, 14m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 14m GS technology. This advanced technology has been I 45A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,

 8.1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf pdf_icon

LNE06R110

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

 8.2. Size:1191K  lonten
 lnc06r079 lnd06r079 lne06r079.pdf pdf_icon

LNE06R110

LNC06R079/LND06R079/LNE06R079 Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 7.9m GS technology. This advanced technology has been I 90A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LND5N65B, LND7N60, LND7N60D, LND7N65D, LNDN10N65, LNDN12N65, LNE06R062, LNE06R079, IRLB3034, LNE06R140, LNE07R085H, LNE08R055W3, LNE08R085, LNE08R160, LNE10N60, LNE10N65, LNE10R040W3