Справочник MOSFET. NP8205MR

 

NP8205MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP8205MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NP8205MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  natlinear
 np8205mr.pdf pdf_icon

NP8205MR

NP8205MR20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe NP8205MR uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protection or inother Switching application.General Features V =20VID =6.5ADSMarking and pin assignment

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.