Справочник MOSFET. NP8205MR

 

NP8205MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP8205MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для NP8205MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP8205MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  natlinear
 np8205mr.pdf pdf_icon

NP8205MR

NP8205MR20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe NP8205MR uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. Thisdevice is suitable for use as a Battery protection or inother Switching application.General Features V =20VID =6.5ADSMarking and pin assignment

Другие MOSFET... LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , IRFZ44 , LNG03R031 , LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 , LNG04R075 .

History: WMN25N70EM | CEBF630

 

 
Back to Top

 


 
.