Справочник MOSFET. LNG045R055

 

LNG045R055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG045R055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 216.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LNG045R055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG045R055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  lonten
 lnh045r055 lng045r055.pdf pdf_icon

LNG045R055

LNH045R055/LNG045R055 Lonten N-channel 45V, 85A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 45V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 85A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

 6.1. Size:918K  lonten
 lnc045r090 lng045r090 lnh045r090.pdf pdf_icon

LNG045R055

LNC045R090/LNG045R090/LNH045R090Lonten N-channel 45V, 70A, 9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 45VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 9mGStechnology. This advanced technology has been I 70ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and with

 6.2. Size:1074K  lonten
 lnh045r090 lng045r090.pdf pdf_icon

LNG045R055

LNH045R090/LNG045R090 Lonten N-channel 45V, 70A, 9m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 45V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 9m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high

 7.1. Size:1239K  lonten
 lnh045r140 lng045r140.pdf pdf_icon

LNG045R055

LNH045R140/LNG045R140 Lonten N-channel 45V, 43A, 14m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 45V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 14m technology. This advanced technology has been ID 43A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LNF4N65 , LNF7N65D , XR46000ESETR , MC2539 , MF5853CS , NP2301AMR-G , NP8205MR , LNG03R031 , IRF1404 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 , LNG04R075 , LNG04R120 , LNG04R165 .

History: PSMN005-75P | HY1707P

 

 
Back to Top

 


 
.