Справочник MOSFET. LNG04R165

 

LNG04R165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG04R165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LNG04R165

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG04R165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:966K  lonten
 lng04r165 lnh04r165.pdf pdf_icon

LNG04R165

LNG04R165/LNH04R165Lonten N-channel 40V, 39A, 16.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 16.5mGStechnology. This advanced technology has been I 39ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withPin C

 7.1. Size:991K  lonten
 lnh04r120 lng04r120.pdf pdf_icon

LNG04R165

LNH04R120/LNG04R120 Lonten N-channel 40V, 47A, 12m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 12m technology. This advanced technology has been ID 47A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high

 8.1. Size:1148K  lonten
 lnh04r075 lng04r075.pdf pdf_icon

LNG04R165

LNH04R075/LNG04R075 Lonten N-channel 40V, 80A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

 8.2. Size:1002K  lonten
 lng04r035b lnh04r035b.pdf pdf_icon

LNG04R165

LNG04R035B/ LNH04R035B Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 3.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with sta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LNG045R055 , LNG045R090 , LNG045R140 , LNG045R210 , LNG04R035B , LNG04R050 , LNG04R075 , LNG04R120 , IRFB4227 , LNG05R075 , LNG05R100 , LNG05R155 , LNG05R230 , LNG06R062 , LNG06R079 , LNG06R110 , LNG06R140 .

History: R6004JND3 | SRC60R030BS

 

 
Back to Top

 


 
.