Справочник MOSFET. LNG08R085

 

LNG08R085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG08R085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LNG08R085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG08R085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1232K  lonten
 lng08r085 lnh08r085.pdf pdf_icon

LNG08R085

LNG08R085\LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

Другие MOSFET... LNG05R230 , LNG06R062 , LNG06R079 , LNG06R110 , LNG06R140 , LNG06R200 , LNG06R230 , LNG06R310 , 12N60 , LNG2N60 , LNG2N65 , LNG4N60 , LNG4N65 , LNG4N80 , LNG5N50 , LNG5N65B , LNG7N60D .

History: STP11NM60N | AP4232BGM-HF | 5N65L-TA3-T | WMN08N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.