LNG08R085 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LNG08R085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для LNG08R085
LNG08R085 Datasheet (PDF)
lng08r085 lnh08r085.pdf

LNG08R085\LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi
Другие MOSFET... LNG05R230 , LNG06R062 , LNG06R079 , LNG06R110 , LNG06R140 , LNG06R200 , LNG06R230 , LNG06R310 , 12N60 , LNG2N60 , LNG2N65 , LNG4N60 , LNG4N65 , LNG4N80 , LNG5N50 , LNG5N65B , LNG7N60D .
History: STP2301 | HSCC2734 | CJU03N80 | PE5B5DX | LNG06R200
History: STP2301 | HSCC2734 | CJU03N80 | PE5B5DX | LNG06R200



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899