LNG08R085. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LNG08R085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для LNG08R085
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
LNG08R085 даташит
lng08r085 lnh08r085.pdf
LNG08R085 LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi
Другие MOSFET... LNG05R230 , LNG06R062 , LNG06R079 , LNG06R110 , LNG06R140 , LNG06R200 , LNG06R230 , LNG06R310 , STP75NF75 , LNG2N60 , LNG2N65 , LNG4N60 , LNG4N65 , LNG4N80 , LNG5N50 , LNG5N65B , LNG7N60D .
History: IPA60R280C6
History: IPA60R280C6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899

