Справочник MOSFET. LNG7N65D

 

LNG7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNG7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LNG7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  lonten
 lnc7n65d lnd7n65d lng7n65d lnh7n65d lnf7n65d.pdf pdf_icon

LNG7N65D

LNC7N65D\LND7N65D\LNG7N65D\LNH7N65D\ LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo

 8.1. Size:1036K  lonten
 lnc7n60d lnd7n60d lng7n60d lnh7n60d.pdf pdf_icon

LNG7N65D

LNC7N60D\LND7N60D\LNG7N60D\LNH7N60D Lonten N-channel 600V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.3 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.6nC energy. Features Low RDS(on) Low gate cha

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WML80R480S | AP6P090H | WMK15N65F2 | 2SK1542 | AP4813GYT-HF | NCEA85H25 | STP40NF10L

 

 
Back to Top

 


 
.