LNH03R031 - описание и поиск аналогов

 

LNH03R031. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNH03R031

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для LNH03R031

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNH03R031 даташит

 ..1. Size:799K  lonten
 lng03r031 lnh03r031.pdf pdf_icon

LNH03R031

LNG03R031/ LNH03R031 Lonten N-channel 30V, 120A, 3.1m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 30V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 3.1m GS technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stan

Другие MOSFET... LNG2N65 , LNG4N60 , LNG4N65 , LNG4N80 , LNG5N50 , LNG5N65B , LNG7N60D , LNG7N65D , SKD502T , LNH045R055 , LNH045R090 , LNH045R140 , LNH045R210 , LNH04R035B , LNH04R050 , LNH04R075 , LNH04R120 .

History: LNG4N65 | LSG65R380HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.