Справочник MOSFET. LNH03R031

 

LNH03R031 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNH03R031
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для LNH03R031

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNH03R031 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  lonten
 lng03r031 lnh03r031.pdf pdf_icon

LNH03R031

LNG03R031/ LNH03R031Lonten N-channel 30V, 120A, 3.1m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.1mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstan

Другие MOSFET... LNG2N65 , LNG4N60 , LNG4N65 , LNG4N80 , LNG5N50 , LNG5N65B , LNG7N60D , LNG7N65D , IRF9540N , LNH045R055 , LNH045R090 , LNH045R140 , LNH045R210 , LNH04R035B , LNH04R050 , LNH04R075 , LNH04R120 .

History: WMP08N70C4 | 10N60G-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.