Справочник MOSFET. LNH03R031

 

LNH03R031 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNH03R031
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LNH03R031 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  lonten
 lng03r031 lnh03r031.pdf pdf_icon

LNH03R031

LNG03R031/ LNH03R031Lonten N-channel 30V, 120A, 3.1m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.1mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.