Справочник MOSFET. LNL04R075

 

LNL04R075 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNL04R075
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для LNL04R075

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNL04R075 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  lonten
 lnl04r075.pdf pdf_icon

LNL04R075

LNL04R075 Lonten N-channel 40V, 18A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 18A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

 8.1. Size:854K  lonten
 lnl04r120.pdf pdf_icon

LNL04R075

LNL04R120Lonten N-channel 40V, 12A, 12m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 12mGStechnology. This advanced technology has been I 12ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy p

Другие MOSFET... LNH2N65 , LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , IRF2807 , LNL04R120 , LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 .

History: AP9971GM | BL4N65-P

 

 
Back to Top

 


 
.