LNN04R050 - описание и поиск аналогов

 

LNN04R050. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNN04R050

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 213.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для LNN04R050

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNN04R050 даташит

 ..1. Size:956K  1
 lnn04r050.pdf pdf_icon

LNN04R050

LNN04R050 Lonten N-channel 40V, 80A, 5.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 5.0m GS technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

 ..2. Size:956K  lonten
 lnn04r050.pdf pdf_icon

LNN04R050

LNN04R050 Lonten N-channel 40V, 80A, 5.0m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 5.0m GS technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

 7.1. Size:936K  1
 lnn04r075.pdf pdf_icon

LNN04R050

LNN04R075 Lonten N-channel 40V, 60A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 7.5m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

 7.2. Size:761K  lonten
 lnn04r040b.pdf pdf_icon

LNN04R050

LNN04R040B Lonten N-channel 40V, 80A, 4m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 4.0m GS technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , LNL04R075 , LNL04R120 , LNN04R040B , 8N60 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.