Справочник MOSFET. LNU2N65

 

LNU2N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNU2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-126
 

 Аналог (замена) для LNU2N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNU2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  lonten
 lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65 lnu2n65.pdf pdf_icon

LNU2N65

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 5.2DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , RU7088R , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT .

History: AFN3430W | SPP15N65C3 | CHM3083JGP

 

 
Back to Top

 


 
.