LSB65R041GT - описание и поиск аналогов

 

LSB65R041GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSB65R041GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для LSB65R041GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSB65R041GT даташит

 ..1. Size:807K  lonten
 lsb65r041gt.pdf pdf_icon

LSB65R041GT

LSB65R041GT LonFET Lonten N-channel 650V, 78A, 0.041 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 700V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.041 device has extremely low on resistance, making it IDM 230A especially suitable for applications which require Qg,typ 110nC superior power density

 4.1. Size:813K  lonten
 lsb65r041gf.pdf pdf_icon

LSB65R041GT

LSB65R041GF LonFET Lonten N-channel 650V, 78A, 0.041 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 700V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.041 device has extremely low on resistance, making it IDM 230A especially suitable for applications which require Qg,typ 110nC superior power density

 7.1. Size:1060K  lonten
 lsb65r099gf lsd65r099gf lse65r099gf.pdf pdf_icon

LSB65R041GT

LSB65R099GF/LSD65R099GF/LSE65R099GF LonFET Lonten N-channel 650V, 40A, 0.099 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 700V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.099 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 120A DM especially suitable for applications which require Q 66nC g,typ

 7.2. Size:962K  lonten
 lsb65r070gf.pdf pdf_icon

LSB65R041GT

LSB65R070GF LonFET Lonten N-channel 650V, 47A, 0.07 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 700V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.070 device has extremely low on resistance, making it IDM 141A especially suitable for applications which require Qg,typ 87nC superior power density

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSB60R099HT , LSB60R105HF , LSB60R125HT , LSB60R170GF , LSB60R170GT , LSB60R180HT , LSB60R280HT , LSB65R041GF , IRFP460 , LSB65R070GF , LSB65R099GF , LSB65R099GT , LSB65R125HT , LSB65R180GF , LSB65R180GT , LSB65R180HT , LSB65R380HT .

History: LSB65R099GF | SL80N03 | IXFC24N50 | LSB65R125HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.