Справочник MOSFET. LSC55R140GT

 

LSC55R140GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSC55R140GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LSC55R140GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSC55R140GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt lsc55r140gt.pdf pdf_icon

LSC55R140GT

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/LSF55R140GT/LSC55R140GTLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which

 4.1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gf lsc55r140gf lsd55r140gf lse55r140gf lsf55r140gf.pdf pdf_icon

LSC55R140GT

LSB55R140GF/LSC55R140GF/LSD55R140GF/LSE55R140GF/LSF55R140GFLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which

Другие MOSFET... LSB65R099GT , LSB65R125HT , LSB65R180GF , LSB65R180GT , LSB65R180HT , LSB65R380HT , LSB80R350GT , LSC55R140GF , IRFB4227 , LSC60R105HF , LSC60R125HT , LSC60R180HT , LSC60R280HT , LSC60R290HF , LSC60R650HT , LSC65R125HT , LSC65R180GF .

History: RTQ035N03TR

 

 
Back to Top

 


 
.