Справочник MOSFET. LSC80R350GT

 

LSC80R350GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSC80R350GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
   Время нарастания (tr): 37 ns
   Выходная емкость (Cd): 42 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для LSC80R350GT

 

 

LSC80R350GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  lonten
lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf

LSC80R350GT
LSC80R350GT

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which

 8.1. Size:1396K  lonten
lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf

LSC80R350GT
LSC80R350GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GTLonFETLonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.68DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 8ADMespecially suitable for applicat

 8.2. Size:1307K  lonten
lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf

LSC80R350GT
LSC80R350GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GTLonFETLonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.98DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applicat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top