STP20N10FI - описание и поиск аналогов

 

STP20N10FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP20N10FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP20N10FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20N10FI даташит

 6.1. Size:379K  st
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10L STP20N10LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10L 100 V

 6.2. Size:343K  st
 stp20n10.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10 100 V

 6.3. Size:140K  st
 stp20n10-.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP20N10 100 V

 6.4. Size:260K  inchange semiconductor
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10FI

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10L FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP18N10FI , STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , IRF1010E , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.