Справочник MOSFET. STP20N10FI

 

STP20N10FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP20N10FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP20N10FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20N10FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:379K  st
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10LSTP20N10LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10L 100 V

 6.2. Size:343K  st
 stp20n10.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10 100 V

 6.3. Size:140K  st
 stp20n10-.pdf pdf_icon

STP20N10FI

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP20N10 100 V

 6.4. Size:260K  inchange semiconductor
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10FI

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10LFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP18N10FI , STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , IRF530 , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI .

History: FK14SM-12 | CM6N40 | FQI27N25TUF085 | IRLS520A

 

 
Back to Top

 


 
.