STP20N10L - аналоги и даташиты транзистора

 

STP20N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP20N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP20N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  st
stp20n10l.pdfpdf_icon

STP20N10L

STP20N10LSTP20N10LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10L 100 V

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
stp20n10l.pdfpdf_icon

STP20N10L

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10LFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 6.1. Size:343K  st
stp20n10.pdfpdf_icon

STP20N10L

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10 100 V

 6.2. Size:140K  st
stp20n10-.pdfpdf_icon

STP20N10L

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP20N10 100 V

Другие MOSFET... STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , AON7506 , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 .

History: IRFE310 | HUF76407D3 | FDMA520PZ | JMSL0303TG | ZVN4310A | IXFK26N90 | IRLR2705

 

 
Back to Top

 


 
.