LSE50R160HT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LSE50R160HT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для LSE50R160HT
LSE50R160HT Datasheet (PDF)
lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf
LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r
Другие MOSFET... LSD80R680GT , LSD80R980GT , LSDN55R140GT , LSDN60R950HT , LSDN65R380GT , LSDN65R380HT , LSDN65R650HT , LSDN65R950HT , EMB04N03H , LSE55R066GT , LSE55R140GF , LSE55R140GT , LSE60R092GF , LSE60R092GT , LSE60R099HT , LSE60R105HF , LSE60R125HT .
History: LSD65R180HT | SM8009NSF
History: LSD65R180HT | SM8009NSF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet


