LSE60R099HT - описание и поиск аналогов

 

LSE60R099HT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSE60R099HT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 248 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для LSE60R099HT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSE60R099HT даташит

 ..1. Size:1047K  lonten
lsb60r099ht lsd60r099ht lse60r099ht.pdfpdf_icon

LSE60R099HT

LSB60R099HT/LSD60R099HT/LSE60R099HT LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.099 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.099 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 120A DM especially suitable for applications which require Q 48nC g,typ

 6.1. Size:934K  lonten
lsb60r092gf lsd60r092gf lse60r092gf.pdfpdf_icon

LSE60R099HT

LSB60R092GF/LSD60R092GF/LSE60R092GF LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.092 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 650V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.092 device has extremely low on resistance, making it IDM 120A especially suitable for applications which require Qg,typ 66nC

 6.2. Size:941K  lonten
lsb60r092gt lsd60r092gt lse60r092gt.pdfpdf_icon

LSE60R099HT

LSB60R092GT/LSD60R092GT/LSE60R092GT LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.092 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 650V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.092 device has extremely low on resistance, making it IDM 120A especially suitable for applications which require Qg,typ 66nC

 8.1. Size:1094K  lonten
lsb60r105hf lsd60r105hf lse60r105hf lsc60r105hf.pdfpdf_icon

LSE60R099HT

LSB60R105HF/LSD60R105HF/ LSE60R105HF/LSC60R105HF LonFET Lonten N-channel 600V, 40A, 0.105 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.105 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 120A DM especially suitable for applications which require

Другие MOSFET... LSDN65R650HT , LSDN65R950HT , LSE50R160HT , LSE55R066GT , LSE55R140GF , LSE55R140GT , LSE60R092GF , LSE60R092GT , IRFP064N , LSE60R105HF , LSE60R125HT , LSE60R180HT , LSE60R1K4HT , LSE60R240HT , LSE60R280HT , LSE60R290HF , LSE60R380HT .

History: MTP20N10E | SMK730F | UJN1208K | CM15N50 | 2SK2602 | AGM402C | AP8N4R2MT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.