Справочник MOSFET. STP21N05L

 

STP21N05L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP21N05L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 370 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP21N05L

 

 

STP21N05L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  st
stp21n05l.pdf

STP21N05L
STP21N05L

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N05L 50 V

 6.1. Size:197K  st
stp21n05.pdf

STP21N05L
STP21N05L

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N05L 50 V

 7.1. Size:197K  st
stp21n06.pdf

STP21N05L
STP21N05L

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

 7.2. Size:383K  st
stp21n06l.pdf

STP21N05L
STP21N05L

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

Другие MOSFET... STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , IRFP450 , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 .

 

 
Back to Top