LSE70R380GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LSE70R380GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для LSE70R380GT
LSE70R380GT Datasheet (PDF)
lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf
LSC70R380GT/LSD70R380GT/LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GTLonFETLonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.38DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 30ADMespecially suitable for applications which
lsd70r450gt lse70r450gt lsf70r450gt lsg70r450gt lsh70r450gt.pdf
LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918