Справочник MOSFET. LSE80R680GT

 

LSE80R680GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSE80R680GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LSE80R680GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1396K  lonten
 lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf pdf_icon

LSE80R680GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GTLonFETLonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.68DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 8ADMespecially suitable for applicat

 8.1. Size:1307K  lonten
 lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf pdf_icon

LSE80R680GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GTLonFETLonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.98DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applicat

 8.2. Size:1197K  lonten
 lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf pdf_icon

LSE80R680GT

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPD90P04P4-05 | DMP3015LSS | 7N65L-TF2-T | IRFL014NPBF | RUH85120M-C | NTMFS4926N | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.