LSF55R140GT - описание и поиск аналогов

 

LSF55R140GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSF55R140GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для LSF55R140GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSF55R140GT даташит

 ..1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt lsc55r140gt.pdf pdf_icon

LSF55R140GT

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/ LSF55R140GT/LSC55R140GT LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which

 ..2. Size:1268K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt.pdf pdf_icon

LSF55R140GT

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/LSF55R140GT LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which require Q 40n

 4.1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gf lsc55r140gf lsd55r140gf lse55r140gf lsf55r140gf.pdf pdf_icon

LSF55R140GT

LSB55R140GF/LSC55R140GF/LSD55R140GF/ LSE55R140GF/LSF55R140GF LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which

Другие MOSFET... LSE65R650HT , LSE70R380GT , LSE70R450GT , LSE80R350GT , LSE80R680GT , LSE80R980GT , LSF50R160HT , LSF55R140GF , IRF630 , LSF60R180HT , LSF60R240HT , LSF60R280HT , LSF60R290HF , LSF60R380HT , LSF65R125HT , LSF65R180GF , LSF65R180GT .

History: S8045R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.