STP21N06LFI - описание и поиск аналогов

 

STP21N06LFI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP21N06LFI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP21N06LFI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP21N06LFI даташит

 5.1. Size:383K  st
 stp21n06l.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

 6.1. Size:197K  st
 stp21n06.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

 7.1. Size:197K  st
 stp21n05.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N05L 50 V

 7.2. Size:383K  st
 stp21n05l.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , AON7506 , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 , STP2N60FI , STP2N80 , STP2N80FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.