Справочник MOSFET. STP21N06LFI

 

STP21N06LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP21N06LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP21N06LFI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP21N06LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:383K  st
 stp21n06l.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

 6.1. Size:197K  st
 stp21n06.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

 7.1. Size:197K  st
 stp21n05.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N05L 50 V

 7.2. Size:383K  st
 stp21n05l.pdf pdf_icon

STP21N06LFI

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , IRFP250 , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 , STP2N60FI , STP2N80 , STP2N80FI .

History: FDP75N08A

 

 
Back to Top

 


 
.