Справочник MOSFET. LSF70R450GT

 

LSF70R450GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSF70R450GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для LSF70R450GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSF70R450GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  lonten
 lsd70r450gt lse70r450gt lsf70r450gt lsg70r450gt lsh70r450gt.pdf pdf_icon

LSF70R450GT

LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which

 8.1. Size:1391K  lonten
 lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf pdf_icon

LSF70R450GT

LSC70R380GT/LSD70R380GT/LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GTLonFETLonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.38DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 30ADMespecially suitable for applications which

 8.2. Size:1238K  lonten
 lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf pdf_icon

LSF70R450GT

LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

Другие MOSFET... LSF65R180HT , LSF65R280HT , LSF65R290HF , LSF65R380GF , LSF65R380GT , LSF65R380HT , LSF65R570GT , LSF70R380GT , RFP50N06 , LSF70R640GT , LSF80R350GT , LSF80R680GT , LSF80R980GT , LSG50R160HT , LSG60R1K4HT , LSG60R240HT , LSG60R280HT .

History: HM3413B | IXTK120N25P | STW75N60M6 | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.