LSGD04R035 - аналоги и даташиты транзистора

 

LSGD04R035 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LSGD04R035
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 639 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LSGD04R035

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGD04R035 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:933K  lonten
 lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdf pdf_icon

LSGD04R035

LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on),max@ V =10V 3.5mtechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance

Другие MOSFET... LSGC04R025 , LSGC04R029 , LSGC04R035 , LSGC06R034W3 , LSGC085R041W3 , LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , P0903BDG , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , LSGE085R065W3 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 .

History: 2SK2820 | AUIRLU024N | HM3207D | APT1201R5SVFR | IPB60R170CFD7 | APT11N80KC3 | FDMC7692

 

 
Back to Top

 


 
.