LSGD04R035 - описание и поиск аналогов

 

LSGD04R035. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGD04R035

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 639 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LSGD04R035

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGD04R035 даташит

 ..1. Size:933K  lonten
 lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdf pdf_icon

LSGD04R035

LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/ LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035 Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 3.5m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance

Другие MOSFET... LSGC04R025 , LSGC04R029 , LSGC04R035 , LSGC06R034W3 , LSGC085R041W3 , LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , IRF830 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , LSGE085R065W3 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 .

History: AOI5N40 | IXFH26N50P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.