LSGE085R065W3 - описание и поиск аналогов

 

LSGE085R065W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGE085R065W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 601 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для LSGE085R065W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGE085R065W3 даташит

 ..1. Size:1291K  lonten
lsgc085r065w3 lsge085r065w3 lsgn085r065w3.pdfpdf_icon

LSGE085R065W3

LSGC085R065W3 LSGE085R065W3 LSGN085R065W3 Lonten N-channel 85 V, 80A, 6.5m Power MOSFET Features Product Summary VDS 85V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on) 6.5m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) I D 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 10

 5.1. Size:806K  lonten
lsgc085r041w3 lsge085r041w3.pdfpdf_icon

LSGE085R065W3

LSGC085R041W3 LSGE085R041W3 Lonten N-channel 85 V, 120A, 4.1m Power MOSFET Features Product Summary VDS 85V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on) 3.4m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) I D 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche

 9.1. Size:813K  lonten
lsgc06r034w3 lsge06r034w3 lsgn06r034w3 lsgg06r034w3.pdfpdf_icon

LSGE085R065W3

LSGC06R034W3 LSGE06R034W3 LSGN06R034W3 LSGG06R034W3 Lonten N-channel 60 V, 80 A, 3.4m Power MOSFET Features Product Summary VDS 60V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on)@10V typ 2.8m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) RDS(on)@4.5V typ 3.6m Qualified according to JEDEC criteria I D 80A Applications Synchronous Rectification for AC/DC QuickCharger 1

 9.2. Size:933K  lonten
lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdfpdf_icon

LSGE085R065W3

LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/ LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035 Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 3.5m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance

Другие MOSFET... LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , K2611 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 .

History: SDF07N50T | MDD7N20CRH | KP726A1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.