LSGE085R065W3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: LSGE085R065W3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 601 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для LSGE085R065W3
LSGE085R065W3 Datasheet (PDF)
lsgc085r065w3 lsge085r065w3 lsgn085r065w3.pdf

LSGC085R065W3\LSGE085R065W3\LSGN085R065W3Lonten N-channel 85 V, 80A, 6.5m Power MOSFETFeatures Product SummaryVDS 85V Extremely low on-resistance RDS(on)RDS(on) 6.5m Excellent Q xR product(FOM)g DS(on)ID 80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested10
lsgc085r041w3 lsge085r041w3.pdf

LSGC085R041W3\LSGE085R041W3Lonten N-channel 85 V, 120A, 4.1m Power MOSFETFeatures Product SummaryVDS 85V Extremely low on-resistance RDS(on)RDS(on) 3.4m Excellent Q xR product(FOM)g DS(on)ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche
lsgc06r034w3 lsge06r034w3 lsgn06r034w3 lsgg06r034w3.pdf

LSGC06R034W3\LSGE06R034W3\LSGN06R034W3\LSGG06R034W3Lonten N-channel 60 V, 80 A, 3.4m Power MOSFETFeatures Product SummaryVDS 60V Extremely low on-resistance RDS(on)RDS(on)@10V typ 2.8m Excellent Q xR product(FOM)g DS(on)RDS(on)@4.5V typ 3.6m Qualified according to JEDEC criteriaID 80AApplications Synchronous Rectification for AC/DC QuickCharger1
lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdf

LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on),max@ V =10V 3.5mtechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance
Другие MOSFET... LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , IRF9640 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 .
History: RU1C002UN | AP60WN4K5H | IXFV20N80P | TSM2NB60CZ | AFN4134 | AP60SL150AP
History: RU1C002UN | AP60WN4K5H | IXFV20N80P | TSM2NB60CZ | AFN4134 | AP60SL150AP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor