LSGE085R065W3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LSGE085R065W3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 601 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для LSGE085R065W3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
LSGE085R065W3 даташит
lsgc085r065w3 lsge085r065w3 lsgn085r065w3.pdf
LSGC085R065W3 LSGE085R065W3 LSGN085R065W3 Lonten N-channel 85 V, 80A, 6.5m Power MOSFET Features Product Summary VDS 85V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on) 6.5m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) I D 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 10
lsgc085r041w3 lsge085r041w3.pdf
LSGC085R041W3 LSGE085R041W3 Lonten N-channel 85 V, 120A, 4.1m Power MOSFET Features Product Summary VDS 85V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on) 3.4m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) I D 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche
lsgc06r034w3 lsge06r034w3 lsgn06r034w3 lsgg06r034w3.pdf
LSGC06R034W3 LSGE06R034W3 LSGN06R034W3 LSGG06R034W3 Lonten N-channel 60 V, 80 A, 3.4m Power MOSFET Features Product Summary VDS 60V Extremely low on-resistance R DS(on) RDS(on)@10V typ 2.8m Excellent Q xR product(FOM) g DS(on) RDS(on)@4.5V typ 3.6m Qualified according to JEDEC criteria I D 80A Applications Synchronous Rectification for AC/DC QuickCharger 1
lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdf
LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/ LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035 Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 3.5m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance
Другие MOSFET... LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , K2611 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 .
History: SDF07N50T | MDD7N20CRH | KP726A1
History: SDF07N50T | MDD7N20CRH | KP726A1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor




