LSGG10R085W3 - аналоги и даташиты транзистора

 

LSGG10R085W3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LSGG10R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LSGG10R085W3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGG10R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  lonten
 lsgg10r085w3 lsgh10r085w3.pdf pdf_icon

LSGG10R085W3

LSGG10R085W3\LSGH10R085W3Lonten N-channel 100V, 65A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on).max@ V =10V 8.5mtechnology. This advanced technology has been I 65ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance,

Другие MOSFET... LSGE15R085W3 , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 , LSGG08R060W3 , IRFZ44N , LSGH04R028 , LSGH04R029 , LSGH04R035 , LSGH08R060W3 , LSGH10R085W3 , LSGN03R020 , LSGN04R025 , LSGN04R029 .

History: FQP2N80 | 2SK4012

 

 
Back to Top

 


 
.