LSGN04R025 - описание и поиск аналогов

 

LSGN04R025. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGN04R025

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6

Аналог (замена) для LSGN04R025

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGN04R025 даташит

 ..1. Size:746K  1
 lsgn04r025.pdf pdf_icon

LSGN04R025

LSGN04R025/LSGC04R025 Lonten N-channel 40V, 120A, 2.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 2.5m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and

 ..2. Size:746K  lonten
 lsgn04r025 lsgc04r025.pdf pdf_icon

LSGN04R025

LSGN04R025/LSGC04R025 Lonten N-channel 40V, 120A, 2.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 2.5m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and

 5.1. Size:1070K  1
 lsgn04r029.pdf pdf_icon

LSGN04R025

LSGC04R029/LSGG04R029/LSGH04R029/LSGN04R029 Lonten N-channel 40V, 120A, 2.9m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 2.9m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 5.2. Size:1070K  lonten
 lsgc04r029 lsgg04r029 lsgh04r029 lsgn04r029.pdf pdf_icon

LSGN04R025

LSGC04R029/LSGG04R029/LSGH04R029/LSGN04R029 Lonten N-channel 40V, 120A, 2.9m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on),max@ V =10V 2.9m technology. This advanced technology has been I 120A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSGG08R060W3 , LSGG10R085W3 , LSGH04R028 , LSGH04R029 , LSGH04R035 , LSGH08R060W3 , LSGH10R085W3 , LSGN03R020 , 50N06 , LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , LSGN10R085W3 , LSH50R160HT , LSH60R1K4HT .

History: TPCA8014-H | STF7N65M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.