LSH50R160HT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LSH50R160HT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для LSH50R160HT
LSH50R160HT Datasheet (PDF)
lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf

LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r
Другие MOSFET... LSGN03R020 , LSGN04R025 , LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , LSGN10R085W3 , IRF630 , LSH60R1K4HT , LSH60R240HT , LSH60R280HT , LSH60R290HF , LSH60R2K5HT , LSH60R380HT , LSH60R650HT , LSH60R950HT .
History: BSC016N03MS | 8N65KG-TA3-T | IRFN044SMD | STB30NM60N | 2SK1365 | SVS80R430FE3 | RJK0380DPA
History: BSC016N03MS | 8N65KG-TA3-T | IRFN044SMD | STB30NM60N | 2SK1365 | SVS80R430FE3 | RJK0380DPA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet