Справочник MOSFET. LSS65R1K5HT

 

LSS65R1K5HT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSS65R1K5HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для LSS65R1K5HT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSS65R1K5HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  lonten
 lsd65r1k5ht lsg65r1k5ht lsh65r1k5ht lse65r1k5ht lss65r1k5ht.pdf pdf_icon

LSS65R1K5HT

LSD65R1K5HT/LSG65R1K5HT/ LSH65R1K5HT/ LSE65R1K5HT/ LSS65R1K5HTLonFETLonten N-channel 650V, 3A, 1.5 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 700VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 1.5DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 9ADMespecially suitable for applications which re

Другие MOSFET... LSH80R2K8GT , LSH80R680GT , LSH80R980GT , LSN65R380HT , LSNC60R180HT , LSNC65R125HT , LSNC65R180HT , LSNC65R380HT , RFP50N06 , AO3400MI-MS , AO3401MI-MS , AO3415AI-MS , AO4803-MS , AO4812-MS , AO4842-MS , AO4882-MS , AO4884-MS .

History: H02N60SJ | H02N60SE

 

 
Back to Top

 


 
.