STP32N05L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STP32N05L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP32N05L
STP32N05L Datasheet (PDF)
stp32n05l.pdf

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V
stp32n06.pdf

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V
stp32n06l.pdf

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V
Другие MOSFET... STP2N60 , STP2N60FI , STP2N80 , STP2N80FI , STP30N05 , STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , 2N60 , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 .
History: IXFK44N50
History: IXFK44N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement