Справочник MOSFET. STP32N05L

 

STP32N05L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP32N05L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP32N05L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32N05L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32N05L

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V

 7.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32N05L

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V

 7.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32N05L

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V

 8.1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STP32N05L

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP2N60 , STP2N60FI , STP2N80 , STP2N80FI , STP30N05 , STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , IRFZ46N , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 .

History: TMPF2N60Z | FQPF27P06

 

 
Back to Top

 


 
.