TP2104N3 - описание и поиск аналогов

 

TP2104N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TP2104N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.175 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для TP2104N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TP2104N3 даташит

 8.1. Size:721K  supertex
 tp2104.pdf pdf_icon

TP2104N3

Supertex inc. TP2104 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well- Low power drive requirement proven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a dev

 9.1. Size:687K  st
 stp210n75f6.pdf pdf_icon

TP2104N3

STP210N75F6 N-channel 75 V, 3 m , 120 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP210N75F6 75 V

 9.2. Size:609K  st
 stp210nf02.pdf pdf_icon

TP2104N3

STP210NF02 STB210NF02 STB210NF02-1 N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A D PAK/I PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET AUTOMOTIVE SPECIFIC TYPE VDSS RDS(on) ID STB210NF02/-1 20 V

Другие MOSFET... TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , IRF9640 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.