Справочник MOSFET. BSS84A

 

BSS84A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS84A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BSS84A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS84A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  mcc
bss84a.pdfpdf_icon

BSS84A

BSS84AFeatures High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Rugged and Reliable Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junct

 0.1. Size:1030K  nxp
bss84akmb.pdfpdf_icon

BSS84A

BSS84AKMB50 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 6 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ElectroStatic Di

 0.2. Size:1426K  nxp
bss84akv.pdfpdf_icon

BSS84A

BSS84AKV50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 19 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to

 0.3. Size:1420K  nxp
bss84ak.pdfpdf_icon

BSS84A

BSS84AK50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFETRev. 1 23 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV Very fast switc

Другие MOSFET... TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , 2N7002 , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y .

History: KP502A | KNY3404C | INK0003AC1 | APM7318KC | KP750V1 | BSP317P | 2SK1334

 

 
Back to Top

 


 
.