MCAC16N03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MCAC16N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN5060
Аналог (замена) для MCAC16N03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MCAC16N03 даташит
mcac16n03.pdf
MCAC16N03 Features Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C Storage Temperature Range
mcac16n03-tp.pdf
MCAC16N03 Features Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C Storage Temperature Range
mcac10h03-tp.pdf
MCAC10H03 Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 30 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=30V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.2 1.7 2.5 V Gate-Thresh
mcac10h03.pdf
MCAC10H03 Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 30 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=30V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.2 1.7 2.5 V Gate-Thresh
Другие MOSFET... TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , 60N06 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y .
History: WMM80R260S | CS8N80A8D
History: WMM80R260S | CS8N80A8D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet




