MCAC50N10Y - описание и поиск аналогов

 

MCAC50N10Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC50N10Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 961 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC50N10Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC50N10Y даташит

 ..1. Size:677K  mcc
 mcac50n10y.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y

MCAC50N10Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1 2 3 V Gate-Threshold

 0.1. Size:677K  1
 mcac50n10y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y

MCAC50N10Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1 2 3 V Gate-Threshold

 7.1. Size:899K  1
 mcac50n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y

MCAC50N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25 C Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshol

 7.2. Size:899K  mcc
 mcac50n06y.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y

MCAC50N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25 C Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , IRF3205 , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.